一、半導體清洗用(yong)超(chao)純(chun)水設(she)備概述
半導體清洗(xi)用超純水設備主要應用在半導體清洗(xi)行業，該設備采(cai)用先(xian)進的(de)反滲透技(ji)術和ED1技(ji)術，保證(zheng)設備的(de)質(zhi)(zhi)量和出水水質(zhi)(zhi)。該設備整體采(cai)用先(xian)進的(de)不銹鋼材質(zhi)(zhi)，抗(kang)腐蝕能力(li)強(qiang)，同時也不會出現生銹問題，質(zhi)(zhi)量可靠，受到用戶的(de)一致好評。
二、半導體清洗(xi)用超純(chun)水設(she)備(bei)工作原理
EDI裝置將(jiang)離子(zi)(zi)交(jiao)換(huan)樹脂充夾在(zai)陰／陽(yang)離子(zi)(zi)交(jiao)換(huan)膜之間形成EDI單(dan)元(yuan)，EDI工作原理如下圖所示，EDI組件中將(jiang)一定數量(liang)的EDI單(dan)元(yuan)間用網(wang)狀(zhuang)物隔開，形成濃水(shui)室。又在(zai)單(dan)元(yuan)組兩端設置陰／陽(yang)電極。在(zai)直流(liu)電的推(tui)動下，通過淡水(shui)室水(shui)流(liu)中的陰陽(yang)離子(zi)(zi)分
別穿過(guo)陰陽(yang)離子交換膜進入到濃(nong)水(shui)(shui)室(shi)(shi)面在(zai)淡水(shui)(shui)室(shi)(shi)中去(qu)除。而(er)通過(guo)濃(nong)水(shui)(shui)室(shi)(shi)的水(shui)(shui)將離子帶出系統，成為(wei)濃(nong)水(shui)(shui)，ED1設備一般以(yi)反(fan)滲透（RO)純水(shui)(shui)作為(wei)EDI給水(shui)(shui)．RO純水(shui)(shui)電導率一般是40-2μ S/cm(25℃).
EDI純(chun)水(shui)(shui)電阻率可以高(gao)達18MQ.cm(25℃),但是根據去(qu)離子水(shui)(shui)用途和系統配置設置，EDI純(chun)水(shui)(shui)適(shi)用于制備電阻率要求在
1-18. 2MΩ.cm(25℃)的(de)純水。
三(san)、半導體清洗用(yong)超(chao)純水設備制(zhi)備工藝
1、預處理(li)系(xi)統反滲透(tou)系(xi)統一中間(jian)水(shui)(shui)(shui)箱(xiang)粗(cu)混(hun)合床精混(hun)合床純水(shui)(shui)(shui)箱(xiang)純水(shui)(shui)(shui)泵紫外線殺菌器(qi)(qi)拋光(guang)混(hun)床精密過(guo)濾器(qi)(qi)用水(shui)(shui)(shui)點(dian)。（≥18MΩ.C0(傳統工藝）
2、預處理反滲(shen)透中(zhong)間水(shui)箱水(shui)泵ED1裝置純化(hua)水(shui)
箱一(yi)辣水系一(yi)紫外線(xian)殺菌器一(yi)隨光溉(gai)床0. 2或0. 5μ=精密過濾(lv)器用水點。（＊18MΩ.CM(最新工藝）
3、預(yu)處理(li)一級(ji)反滲(shen)透加藥機（PH調節(jie)）中間水(shui)箱(xiang)第
二級(ji)反滲透（正電(dian)荷(he)反滲膜）純(chun)水箱(xiang)純(chun)水泵(beng)EDI裝置(zhi)紫(zi)外(wai)
線殺菌器0. 2或0. 5μm精密過濾器用水點(dian)。（≥17MΩ.00(最新(xin)工(gong)藝）
4、預處理(li)反(fan)滲透中間水(shui)箱(xiang)水(shui)泵(beng)EDI裝置一純水(shui)箱(xiang)純水(shui)泵(beng)紫外線殺(sha)菌器0. 2或0. 5μ=精密過濾(lv)器用水(shui)點。
（≥15Ω.00(最新工藝）
5、預處理系統一(yi)反涉透系統一(yi)中(zhong)間水箱純(chun)水泵一(yi)相混合
床(chuang)精(jing)混合(he)床(chuang)紫(zi)外線殺菌器一精(jing)密(mi)過濾(lv)器一用(yong)水點。（≥15MΩ.CD(傳統工藝）
